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 Slide Show: 新興半導體材料GaN具高頻與高功率特性 於5G基地台應用可望快速成長

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DIGITIMES Research分析,寬能隙(wide band gap)材料氮化鎵(GaN)因具高功率、高頻率、高能量轉換率等特性,是5G時代功率放大器(PA)理想的半導體材料,隨著5G基礎建設升溫,預估GaN需求在基地台應用可望大幅增加。

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