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雷射元件於資料中心應用朝高傳輸速率發展 與矽光子晶片整合將為趨勢

 中國功率IDM擴大布局SiC與GaN 滿足內需商機並應對地緣政治壓力

 SiC與GaN IDM擴大布局歐美與星馬印 降低地緣政治壓力

氮化鎵用於Micro LED與HEMT具備龐大商機 跨域合作並朝矽基開發將可改善良率並擴大應用

 日本業者建置SiC基板產能 將成日本綠色轉型重要基礎

 碳化矽功率元件朝超接合面結構開發 MOSFET耐壓將提升至10,000V

 GaAs代工業受惠新款手機與NB出貨 2H24營運動能將持續增溫

耐高功率兼具高能量轉換效率 SiC功率元件將瞄準充電樁和太陽能發電市場

 因應電動車及綠色能源需求 中國積極發展IGBT功率半導體

 氧化鎵為次世代功率半導體首選 日商NCT及Flosfia發展進程快

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