2008年NAND Flash產業，除在製程技術將有更進一步突破，從50奈米轉進40奈米外，並開發下世代新技術x3 (3-bit-per-cell)，各大廠產能亦持續開出。
雖NAND Flash價格延續2007年下半走跌態勢，導致各廠獲利不見起色，然也加速其於各式IT與消費性電子產品應用的普及，繼而引發對NAND Flash晶片的需求，帶動NAND Flash產業發展。
面對價格競爭日趨激烈但長期仍穩定成長的NAND Flash產業，三星(Samsung)、東芝(Toshiba)與海力士3大NAND Flash晶片業者，皆已擬定2008年甚至是未來3至5年的NAND Flash業務拓展策略，範圍涵蓋技術、產能、產品應用與策略聯盟，盼隨NAND Flash應用日漸普及，加速相
