回顧過去早期的130nm~28nm時代，半導體製程以材料創新為主，包括銅製程、Low-k與HK/MG的材料變化。但近期的28nm~10mm世代，以3D的FinFET及2D的FD-SOI的結構性改善為主，而未來的7nm~3nm則以導入EUV來進行工程上的微細化，至於未來的3nm之後，則有待材料、結構的同步創新，且難度更高。無論是GAA、Nano-wire或FinFET with SOI，成本也都將會是天價。
其實從28nm起，傳統的Bulk Planar製程就開始面對物理極限的問題，但3D的FinFET技術解決了快速運算晶片的問題，而2D的FD-SOI則提供了低耗電的製程技術，這種將來可能被廣泛應用於5G與物聯網上的晶片也十分受到關注，只是在技術進展上慢於FinFET。
FinFET用於應用處理器、CPU與GPU等需要快速運算的晶片上，例如蘋果的iPhone XS便使用7nm的FinFET技術，英特爾最先進的CPU也是10nm FinFET，但從2D變成3D，工程費用大增，一個7nm的邏輯晶片廠，竟然高達180億美元，簡直匪夷所思。FinFET的製程非常複雜，需要多次的Multi-patterning的程序，14nm要12~13次，10nm要25~30次，而7nm要35~45次。此外，就算導入EUV的設備，短期內也將與FinFET的設備共存。
目前台積電領先進入7nm，三星將在2019年下半領先在7nm生產中導入EUV設備；聯電已經可以量產14nm、中芯國際還在28nm掙扎，但宣稱將在2019年下半年量產14nm，但至今28nm以下的先進製程，貢獻營收比例僅有3%。
2018年，台積電與三星都在7nm製程中引進FinFET技術，而2020年的5nm製程引進EUV設備又是一次激戰。預期4nm的時代，GAAFET的製程(Gate-All-Around Field-Effect Transistor)可能成為主流，而4nm也可能是最後一代的FinFET製程。（以上都是從韓國研究機構彙整的資料，僅供參考）
為擁有近40年資歷的產業分析師，一手創辦科技專業媒體《電子時報》（DIGITIMES），著有《矽島的危與機》、《東方之盾》、《斷鏈之後》、《科技島鏈》、《巧借東風》、《西進與長征》、《出擊》、《電腦王國ROC》、《打造數位台灣》、等多本著作。曾旅居韓國與美國，受邀至多家國際企業總部及大專院校講授產業趨勢，遍訪中國、歐美、亞太主要城市。
