英特爾High-NA EUV設備就緒 搶快採用避免重蹈覆轍? 智慧應用 影音
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英特爾High-NA EUV設備就緒 搶快採用避免重蹈覆轍?

  • 蔡靜珊綜合報導

英特爾晶圓代工(Intel Foundry)率業界之先,完成ASML首代高數值孔徑(High-NA)極紫外光(EUV)微影設備Twinscan EXE:5000組裝,接下來會進行校準並打出「第一道光」,預計2026~2027年投產Intel 14A(1.4奈米...

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