三星代工28奈米FD-SOI製程MRAM準備進入量產
- 林怡伶／綜合報導
三星電子(Samsung Electronics)宣布28奈米全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)製程，導入磁電阻式隨機存取記憶體(MRAM)準備量產，創下全球首例。
多家韓媒報導指出，三星與恩智浦(NXP)共同研發應用於生產MRAM的2...
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