360°Research:CTF 智慧應用 影音
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IC975

360°Research:CTF

電荷擷取快閃記憶體(Charge Trap Flash;CTF)為三星電子(Samsung Electronics)於2006年9月所發表的NAND Flash製程技術。三星於2008年所導入的40奈米製程便是採用CTF技術,該技術被三星視為未來取代傳統浮動閘(Floating Gate)技術的新架構。

在CTF架構下,NAND Flash元件的結構乃由鉭金屬(Ta)、氧化鋁(Aluminum Oxide)、氮化物(Nitride)、氧化物(Oxide)與矽晶層(Silicon)所組成,故又稱TANOS架構,其無須使用浮動閘,而是從氧化層間的絕緣氮化矽層中擷取電荷,故可有效控制所儲存電流,避免資料流失。

三星宣稱CTF技術可克服NAND Flash業界一向視為無法達到的45奈米製程極限,將NAND Flash製程更輕易地微縮至40奈米、30奈米,甚至是20奈米以下;且該技術能有效降低可能使位元難以讀取的巢間干擾(Inter-cell),大幅提升晶片可靠性。