360°Research：CTF

電荷擷取快閃記憶體(Charge Trap Flash；CTF)為三星電子(Samsung Electronics)於2006年9月所發表的NAND Flash製程技術。三星於2008年所導入的40奈米製程便是採用CTF技術，該技術被三星視為未來取代傳統浮動閘(Floating Gate)技術的新架構。

在CTF架構下，NAND Flash元件的結構乃由鉭金屬(Ta)、氧化鋁(Aluminum Oxide)、氮化物(Nitride)、氧化物(Oxide)與矽晶層(Silicon)所組成，故又稱TANOS架構，其無須使用浮動閘，而是從氧化層間的絕緣氮化矽層中擷取電荷，故可有效控制所儲存電流，避免資料流失。

三星宣稱CTF技術可克服NAND Flash業界一向視為無法達到的45奈米製程極限，將NAND Flash製程更輕易地微縮至40奈米、30奈米，甚至是20奈米以下；且該技術能有效降低可能使位元難以讀取的巢間干擾(Inter-cell)，大幅提升晶片可靠性。