360°Research：Bad Block Management

故障區塊管理(Bad Block Management；BBM)即控制IC的故障區塊管理機制，是用來偵測並標示NAND Flash中的故障區塊，避免日後資料存入故障區塊中，以提升資料存取可靠度。

NAND Flash中的故障區塊分為Early Bas Block與Latter Bad Block。Early Bad Block是NAND Flash在製造過程中，因製程或技術因素所產生的故障區塊，一般約佔NAND Flash總容量的1%；Latter Bad Block則是在NAND Flash被使用的過程中所產生，一般被控制IC業者控制在NAND Flash總容量的5%之內。

NAND Flash首次被啟用時，控制IC的故障區塊管理程式會逐一檢查NAND Flash內每個區塊，若有發現故障區塊，便將之記錄至故障區塊表(Bad Block Table；BBT)中，以防止日後資料被寫入這些故障區塊中。

建立故障區塊表後，隨後NAND Flash在被使用的過程中，若有區塊在抹寫時發生錯誤，同樣也會被記錄至故障區塊表中，並將抹寫失敗的資料內容重新移植到新的有效區塊中，以避免因抹寫過程的錯誤導致資料流失。