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2017年全球3D NAND Flash產能將增118% 三星維持領先
 | 原子層沉積適用於多層3D NAND Flash 然製程時間與成本增加為新課題 |
| 3D NAND Flash朝垂直堆疊64層以上邁進 三星改採乾蝕刻可能性提升 |
旺季效應及智慧型手機帶動 3Q'16台灣主要晶圓代工廠營收將季增14.3%
| 需求疲弱 產能擴充 4Q'15台廠晶圓代工產能利用率下滑 |
| 回補庫存需求升溫、16奈米推動 2016年台灣晶圓代工產業將漸入佳境 |
3D NAND Flash朝垂直堆疊64層以上邁進 三星改採乾蝕刻可能性提升
| 東芝訂半導體事業虧轉盈目標 將發展64層3D NAND Flash與晶圓代工業務 |
| 2016年下半3D NAND Flash供應商上看4家 三星仍將具產能與技術優勢 |
Sony影像感測器2016年月產能維持不增 ToF及4K技術有助其拓展汽車、機器人、醫療領域
2016年下半3D NAND Flash供應商上看4家 三星仍將具產能與技術優勢
| 2016年韓廠記憶體資本支出將連兩年下降 DRAM 18奈米製程為發展重點 |
| 1Q'16南韓記憶體產業觀察：佔全球比重降破6成 2Q'16產值可望季增5% |
東芝訂半導體事業虧轉盈目標 將發展64層3D NAND Flash與晶圓代工業務
| 主力產品具成長動能 2014年度日本前三大半導體廠營運展望趨於樂觀 |
| 2014年度日本前三大半導體廠營益率可望升至近7年高點 東芝優先採15奈米製程量產快閃記憶體 |
先進製程需求成長帶動 2Q'16台廠晶圓代工營收將季增8.4%
| 需求疲弱 產能擴充 4Q'15台廠晶圓代工產能利用率下滑 |
| 回補庫存需求升溫、16奈米推動 2016年台灣晶圓代工產業將漸入佳境 |
三星投入DRAM 18奈米製程研發 四重曝光顯影與超微細導電膜將為關鍵技術
| 2016年韓廠記憶體資本支出將連兩年下降 DRAM 18奈米製程為發展重點 |
| 4Q'15南韓記憶體產業觀察：2015年DRAM市佔躍升至7成 唯1Q'16記憶體產值恐季減10% |
2016年韓廠記憶體資本支出將連兩年下降 DRAM 18奈米製程為發展重點
| 2013年三星與SK海力士半導體資本支出轉趨保守 然投資方式更趨多元 |
| 2014年下半南韓半導體廠商可望擴大資本支出 新產線與製程升級將為重點 |
Sony影像感測器面臨手機應用需求不如預期 提升車用技術力以因應2020年9億美元市場商機
