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詹益仁
乾坤科技技術長
曾任中央大學電機系教授及系主任,後擔任工研院電子光電所副所長及所長,2013年起投身產業界,曾擔任漢民科技策略長、漢磊科技總經理及漢磊投資控股公司執行長。
二維材料在次奈米電晶體的應用
在科技部所楬櫫的《A世代前瞻半導體技術專案計畫》,其宗旨在於為下一個世代半導體產業所需的相關技術,由學術界領軍做超前部署。下一個世代的半導體技術勢必將進入了次奈米等級(Angstrom;埃),也就是原子的尺度。此專案計畫其中一個重點,就是開發二維材料為導電通道層(channel)的電晶體。
2022/2/14
AR眼鏡是否會取代智慧型手機?
元宇宙(Metaverse)是近來最發燒的話題,最近很多公司的產品或技術都特別強調跟元宇宙有密切的關聯,以吸引投資者的目光。在元宇宙虛實整合的世界裡,無疑地擴增實境(AR)與虛擬實境(VR),是最早新創的兩個平台。AR與VR都是以眼部穿戴式裝置為主要訴求,而AR是可行動的,VR比較靜態。也因此衍生出更進一步的討論:AR眼鏡未來有可能取代智慧型手機,而VR會取代NB!在科技的國度裡,坦白說唯一不會缺少的就是話題了。
2022/1/19
電流大戰續集—愛迪生、西屋以及Tesla
在電學的世界裡,大家耳熟能詳是早期奠下基石的幾位科學家,如庫倫、伏特、安培、法拉第以及歐姆等,清一色的都來自於歐洲。但是隨著在應用端的推展,以及美國在十九世紀後期國力的崛起,電學的發展以及在應用端重要的里程碑,也漸漸地由美洲大陸所取代。電影《電流大戰》所描述的就是發生在美國本土,主導電力系統中,直流電與交流電間的論戰。直流電是由愛迪生所領軍,而西屋則是交流電的擁護者。特斯拉則因為卓越的技術能力,在兩者間扮演關鍵的角色。
2021/12/28
如果你年輕的時候去過巴黎
海明威(Ernest Hemingway)在年輕的時候在巴黎待過一段時間,當時他只是位給報社及雜誌寫專欄的作家,生活拮据靠微薄的稿費維生,但是卻得以在咖啡廳或小酒館,與藝文界的朋友高談闊論,逛遍巴黎各博物館及美術館。領到稿費可以打個牙祭或小小賭個賽馬,因此海明威心目中的巴黎,是一輩子跟著他,且可以帶著走的饗宴(A Moveable Feast)。
2021/12/7
6G、低軌道衛星與太赫茲通訊
當5G的戰火還在方興未艾之際,6G或稱為B5G(beyond 5G)的煙硝味已逐漸蔓延中。6G目前還是處在一個非常具有想像力的國度裡,各類不同的需求及解決方案不斷地在探討中。6G目前主要的訴求在於,比5G更高的傳輸速率及更低的延遲,另外一個重點就在於全球涵蓋,包括人煙罕至的地表及海洋。為了全球涵蓋,已經在進行中的低軌道衛星通訊,將必然納入6G的範圍,這包括可重複使用的火箭載具及結合太空旅行,儼然已形成一股龐大的商業勢力在逐步推動中。
2021/12/1
台灣碳化矽半導體產業的序曲與樂章
日前莊衍松兄在《電子時報》專文中,談到了台灣碳化矽(SiC)半導體的發展歷程,文中提到在工研院以及瀚薪科技在早期所扮演的角色。瀚薪在2020年初已經轉往中國發展,受到國人高度的關注,由於個人在早期不論在工研院、瀚薪,甚至後來的漢磊,都參與並催生了其在碳化矽半導體的研發及製造,因此覺得有必要將當時的時空,以及決策考量做一個說明。
2021/11/3
磷化銦:化合物半導體的下一張拼圖
政府日前宣布了「南方雨林」計畫,預計在台南沙崙建置首座化合物半導體產業專區,發展以應用於車用動力系統為主的半導體元件。化合物半導體由第二代的砷化鎵(GaAs),到第三代的碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN),甚至到所謂第四代的氧化鎵(Ga2O3),台灣的產業確有相當的條件,在全球的舞台上扮演重要的角色,甚至成為未來的護國群山之一。
2021/10/6
科技產業的隔代創新
創新是科技業生存的不二法門,然而從創新的想法到實際技術及產品的開發,卻需要投入及耗費掉相當的資源,因此持續的創新就不見得符合經濟上的效益。再加上為了滿足應用上的需求,每隔一段時間就須開發出下一代的產品。為了在創新與效益上尋找出一個平衡點,因此科技業就演進出了隔代創新的商業模式。而新一代的創新技術,通常也會有相當的餘裕,可以繼續使用在下一代的產品上。
2021/9/13
亞馬遜的「6頁」創新
亞馬遜(Amazon)創辦人貝佐斯(Jeff Bezos)在2004年,就禁止公司內的簡報或提案使用Powerpoint,改為6頁的書面備忘錄。而會議是以30分鐘的無聲會議當作開場,每個人都得認真的研讀這6頁的備忘錄,提案內容要涵蓋新服務的機制,提供客戶及供應商的價值,以及相關財務、收益預測,還有風險及退場時機等。然後再開始討論,通過後就會給一筆預算,開始招兵買馬,建立新創團隊。同時備忘錄不會列出撰寫者的名字,因為這一定是團隊合作的結果。
2021/8/11
第四代半導體:氧化鎵
最近氧化鎵半導體被討論的熱度是非常高,還有人稱之為第四代半導體,有別於第一代的矽(Si),第二代的砷化鎵(GaAs)及磷化銦(InP),第三代的碳化矽(SiC)及氮化鎵 (GaN),究其因除了本身具有寬能隙 (wide bandgap)的特性外,另外很重要的一點就是,氧化鎵半導體在技術上,可以使用傳統單晶成長的方式,製作出直徑6英吋的晶柱(ingot),這是在第三代半導體中所無法實現的,這對於未來不論就成本以及元件特性,都有著莫大的助益。
2021/7/29
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