DIGITIMES - 議題精選：三星發力記憶體新技術

三星考慮以Hafnia Ferroelectrics材料，實現超高層數3D NAND堆疊，因為目前堆疊200~300層3D NAND，面臨不少技術難題。

2024/5/28

三星電子（Samsung Electronics）正在加速一種名為「Hafnia Ferroelectrics」的NAND Flash材料研發，將其指定為下一代記憶體關鍵材料，期望對三星加速實現，堆疊千層以上3D NAND，以及PB級固態硬碟（SSD）的夢想有所助益...

2024/5/28

三星電子（Samsung Electronics）成功將新一代記憶體3D DRAM堆疊到16層，高出競爭對手美光（Micron）2倍。

2024/5/28

高頻寬記憶體（HBM）需求增加，也讓第六代HBM（HBM4）技術競爭愈演愈烈，三星電子（Samsung Electronics）近日傳考慮在HBM4採第六代10奈米級（1c）DRAM製造，引起業界關注。

2024/5/28

為應對人工智慧（AI）用高容量記憶體市場，三星電子（Samsung Electronics）宣布，規劃於2024年下半推出四階儲存單元（QLC）NAND Flash新品。