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三星發力記憶體新技術

三星考慮以Hafnia Ferroelectrics材料,實現超高層數3D NAND堆疊,因為目前堆疊200~300層3D NAND,面臨不少技術難題。

千層NAND不是夢? 三星聯手KAIST開發新鐵電材料

三星取得技術突破 3D DRAM可堆疊至16層

搶先SK海力士一步 三星傳HBM4將採1c DRAM製造

三星規劃2H24推QLC NAND新產品