三星考慮以Hafnia Ferroelectrics材料，實現超高層數3D NAND堆疊，因為目前堆疊200~300層3D NAND，面臨不少技術難題。
千層NAND不是夢？ 三星聯手KAIST開發新鐵電材料
三星取得技術突破 3D DRAM可堆疊至16層
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