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Everspin攜手GF MRAM開發擴大到12nm

  • 陳端武/綜合外電

磁阻式記憶體(MRAM)大廠Everspin於日前宣布修訂與格芯(Globalfoundries)的STT-MRAM聯合開發協議。Everspin和GF現為40nm、28nm和22nm STT-MRAM的開發和...

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