美光24GB 8H HBM3E近日宣布量產,採用1-beta製程結合矽穿孔(TSV)先進技術,號稱可滿足大型神經網路訓練或推論工作負載的加速運作對記憶體頻寬的要求。
配合NVIDIA H200出貨 美光HBM3E量產拔頭香
HBM市場競爭升溫 12層HBM3E量產時機成關鍵
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