【2021新技術趨勢】DRAM導入EUV進入高資本競賽 NAND技術堆疊加劇
- 韓青秀／台北
全球記憶體大廠技術競爭方興未艾，NAND Flash堆疊製程朝向更高層數發展、朝向TB等級大量儲存容量拓展，而DRAM製程也從1Y奈米全面向1Z奈米推進，三星電子(Samsung Electronics)率先在1Z奈米導入EUV設備，記憶體產業2021年可...
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