三星擬在2021年量產3奈米GAAFET晶片 2019年下半7奈米EUV晶片
- 陳端武／綜合報導
三星電子(Samsung Electronics)擬於2021年開始量產3nm環繞式閘極場效電晶體(GAAFET)晶片，並將在2019年下半開始生產7奈米EUV晶片。
根據tom’s Hardware報導，GAA電晶體是FET電晶體，在...
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