長鑫存儲專利布局輪廓浮現 下半年待市場復甦衝刺
- 韓青秀/台北
中國大陸記憶體產業發展腳步迅速,長江存儲邁入128層NAND Flash製程,DRAM廠長鑫存儲2019年啟動19奈米量產後,持續強化技術授權及專利實力,據悉,其技術布局已完成初步輪廓,2020年除了積極提升19奈米良率,17奈米製程開發進度也照原定計畫...
會員登入
會員服務申請/試用
申請專線:
+886-02-87125398。
(週一至週五工作日9:00~18:00)
+886-02-87125398。
(週一至週五工作日9:00~18:00)
關鍵字