日本東北大學成功研發出儲存密度高達128Mb的自旋轉移力矩式記憶體(STT-MRAM),寫入速度竟達14奈秒(ns),堪稱全球100Mb以上STT-MRAM之中寫入速度最快,可望應用於嵌入式記憶體應用,例如物聯網(IoT)和人工智慧(AI)的緩存。