三星宣布量產256Gb第五代V-NAND
- 林瑜淳／綜合報導
據韓媒Newspim報導，三星電子(Samsung Electronics)宣布量產256Gb第五代V-NAND記憶體，採用Charge Trap Flash(CTF)結構，降低記憶單元高度20%，堆疊層數高於90層，資料傳出速度達每秒175MB。
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