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三星宣布量產256Gb第五代V-NAND

  • 陳柏蓁

據韓媒Newspim報導,三星電子(Samsung Electronics)宣布量產256Gb第五代V-NAND記憶體,採用Charge Trap Flash(CTF)結構,降低記憶單元高度20%,堆疊層數高於9...

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