科學家合成GaTe材料 具成為光電材料潛力
- 莊瑞萌
美國亞利桑那州立大學(Arizona State University)科學家日前合成pseudo-1D半導體材料碲化鎵(GaTe)。研究人員認為,由於該材料本身擁有非等向性特質,不只可作為研究二維材料參考,也具備成為光電科技材料的潛力。據Phys.org報導,亞利...
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