STT-MRAM具快速和低耗電優勢 惟製造、測試和操作上仍面臨挑戰 智慧應用 影音
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STT-MRAM具快速和低耗電優勢 惟製造、測試和操作上仍面臨挑戰

  • 蕭菁菁綜合報導

自旋轉移力矩式記憶體(STT-MRAM)將若干傳統記憶體的屬性整合至單一裝置中,而且具有快速和低耗電等特點,對晶片製造廠而言相當有吸引力,幾家業者現正擴大在STT-MRAM的著墨,但此技術在當前,甚至未來在製造和測試都將存在各種挑戰。

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