氮化鎵功率、RF應用潛力高 台MOSFET廠、三五族分頭搶進
- 何致中／台北
第三代半導體材料氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)的爆發潛力備受各界重視，其中，SiC因其耐高溫等特性，一般預期應用於新能源車電子電力元件為大宗。GaN元件因為分為矽基氮化鎵(GaN-on-Si)、碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)兩大類製程，前者可共享矽基半...
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