第三代半導體發展未臻成熟 中國「彎道超車」仍有機會
- 方野／上海
從以絕緣柵雙極電晶體(IGBT)、金氧半場效電晶體(MOSFET)為代表的矽基功率半導體，到以碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體，市場火熱數十年，新進者不斷湧入市場。
在中國國家戰略「十四五」規劃與2035年遠景目標...
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