搶先SK海力士一步 三星傳HBM4將採1c DRAM製造 智慧應用 影音
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搶先SK海力士一步 三星傳HBM4將採1c DRAM製造

  • 蔡云瑄綜合報導

高頻寬記憶體(HBM)需求增加,也讓第六代HBM(HBM4)技術競爭愈演愈烈,三星電子(Samsung Electronics)近日傳考慮在HBM4採第六代10奈米級(1c)DRAM製造,引起業界關注。

由於HBM是以垂直方式連...

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