(Daily Issue)政府引導學界挑戰下個十年 台灣次奈米世代戰鼓隆隆
- 莊衍松／評析
2018年國際元件與系統技術藍圖(IRDS) 預測，電晶體技術預期會在2023年由目前的FinFET技術轉換到閘極全環(GAA)電晶體技術，到時元件通道厚度的實際尺寸將會達到6奈米，我們所熟知的矽、矽鍺電晶體元件都已無法再用，必須用二硫化鉬(MoS2)等過渡金...
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