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2017年為4位元3D NAND Flash技術元年 耐久度與傳速等課題待克服

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4位元(Quadruple Level Cell;QLC) 3D NAND Flash理論上一組Cell可記錄16種儲存狀態(4bits/cell),其儲存容量較既有技術更加提升,但存...

內文目錄

  • QLC應用於3D NAND Flash 存在傳速慢與使用壽命短等課題
  • 三星與東芝自2017年中陸續發表QLC技術3D NAND Flash樣品
  • 結語

圖表目錄

  • QLC可望成為3D NAND Flash儲存單元的第四種儲存型態
  • 3D NAND Flash儲存型態別主要特性比較
  • 三星第一至五代3D NAND Flash發表時點與主要技術內容
  • 5 個圖表

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