SOT MRAM既然使用了不同於STT MRAM的翻轉機制，在元件結構上也自然不同。STT MRAM的讀、寫電流均直接垂直通過MTJ；而SOT MRAM的讀取電流如舊，但寫入電流則依靠與自由層平行鄰接的材料中流過的電流，帶動二者界面上的自旋軌道作用所產生的轉矩，用以翻轉自由層的磁矩。

最近pSTT MRAM逐漸在各大代工廠進入量產階段，初步的工程工作算是一個階段的完成。有時候pSTT MRAM又叫做第三代MRAM，代與代之間基本上是以翻轉磁矩的機制來區分的。

依據von Neumann架構，計算機中記憶體和控制單元是分離的，這也是目前計算機及相關的半導體零件製造的指導方針。但是在目前海量資料的處理與儲存上，這樣的架構對資料的「讀取—處理—儲存」循環在資料傳送速度、功耗上形成重大挑戰。特別是記憶體本身因寫入速度、保留時間等的特性差異，從cache、DRAM、NAND等形成複雜層層相轉的記憶體體制(memory hierarchy)，讓資料的處理循環變得更長、更耗能。

白宮2月在官網上發布了「America will Dominate the Industries of Future」，由美國科學與技術政策辦公室(Office of Science and Technology Policy)發文，最前頭引用了川普(Donald Trump)的話，希望透過立法以投資基礎架構於先進產業。

去年是量子訊息科學風起雲湧的一年。受到之前中國大陸發射墨子衛星、設立量子訊息與量子科技創新研究院、布置京滬量子通訊骨幹網路等發展的影響，美、歐、日、韓等國都發布了高層次的國家量子科技政策，而台灣也整合產學、啟動了幾個大型計畫。量子訊息包含了量子通訊和量子運算等領域，量子通訊能保障通訊安全，是國家安全議題。但是量子運算能做什麼？這是個基本問題。

5G的第一階段標凖Release 15於2018年6月含SA (standalone)的方案己完整公布，第二階段的標凖Release 16則將於2020年底公布，5G距完整布建的時間不遠了。

MIT Technology Review (MIT TR)是MIT所擁有的獨立刊物，原先的讀者群是尖端科技精英，後來逐漸轉向商務人士及一般大眾。由於背後有強大的科技諮詢團隊，雜誌中的科技敘述及評論大致八九不離十。時值中美貿易談判，本期的主題就是「The China Issue」，語帶曖昧。

幾乎所有的新興記憶體出道時都宣稱與CMOS製程相容，意思是可以做邏輯製程的嵌入式記憶體。這意味著開發一種記憶體技術可以一魚兩吃，適用於嵌入式和獨立式記憶體。但是從歷史的發展來看，這樣的一廂情願最後很難堅持，像eDRAM幾乎很少用過，eFlash最終停留在65nm，很難與邏輯製程一起微縮，而且此時的嵌入式記憶體製程與獨立式記憶體製程早已大相逕庭了！

材料科學的進展對於此時的半導體產業是及時雨，而且從科學變成技術的速度也令人嘆為觀止。前幾年還在《Nature》、《Science》這些頂級科學期刊當成科學新發現的議題，有很多已經至少被展示在奈米級元件的應用。譬如二維材料中的過渡金屬二硫屬化合物(Transition Metal Dichalcogenide；TMD)半導體，由於其二維維度及材料特性—高電子流動性(mobility)、低漏電流(leakage current)、高可撓性(flexibility)等性質，已被用於nm等級3D電晶級的開發，用做通道(channel)材料。許多伴隨二維材料的技術及設備也正在同步開發，常被提到的材料有二硫化鉬(MoS2)及二硒化鎢(WSe2)。

之前談過美國、日本、南韓三國的半導體發展策略，12月歐盟會議也做出決議，由法、義、德、英29家公司共同研發半導體5個項目，至2024年止由參與國政府支持17.5億歐元。