DIGITIMES - 議題精選：EUV量產甜蜜點何時到？

EUV量產甜蜜點何時到？

台積電、英特爾與三星電子均已入手ASML力拱的high-NA EUV，但在實際應用裡，似乎對其打退堂鼓。台積電高層更提及A16和A14製程技術，都不會採用high-NA EUV曝光機。

英特爾暗示EUV不再是唯一解方？　台積心裡有數、三星借鏡

近期外媒傳出一位匿名英特爾（Intel）高層發表一個頗具爭議的觀點：未來電晶體設計，如GAAFET架構和CFET架構，可能降低晶片製造對先進微影設備的依賴，...

英特爾董事：GAAFET、CFET設計　未來將減少先進EUV微影需求

近日英特爾（Intel）一名匿名董事在投資研究平台Tegus上表示，未來的電晶體設計，包括環繞閘極場效電晶體（GAAFET）和互補式場效電晶體（CFET），...

台積電暫緩High NA EUV量產　ASML罕開實驗室推銷

台積電業務開發暨全球銷售資深副總裁張曉強近來重申，台積電「不急著」採High NA EUV曝光機量產先進製程，再次引發外界對於ASML新一代重磅微影設備的好奇...

ASML擁5000供應商網絡　對High-NA EUV曝光機有信心

極紫外光（EUV）曝光機製造商ASML，負責技術研發的執行副總裁Jos Benschop表示，高數值孔徑（High-NA）技術的新型EUV曝光機雖然目前銷量...

美、日建EUV研發中心　南韓僅導入舊設備引產業憂慮

為開發先進半導體技術，美國、日本政府均與民間合作，為研究機構導入極紫外光（EUV）微影設備。相較之下，南韓因預算限制僅能導入舊款設備，部分觀點擔憂，南韓可能在...

英特爾詳揭18A技術優勢　2H25與台積電2奈米正面交鋒

英特爾（Intel）在VLSI 2025研討會發表一篇關於Intel 18A（1.8奈米級）製程的論文，將所有關於Intel 18A製程技術的資訊整合其中。預計新的I...

中國HBM技術續追趕　長鑫聚焦HBM3E研發

與SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron）、三星電子（Samsung Electronics）等三大記憶體廠相比，中國高頻寬記憶體（HBM）進展有限，...

DRAM三哥突圍　傳美光率先搶下SOCAMM量產批准

傳NVIDIA已選定美光（Micron），成為次世代記憶體模組SOCAMM的首批供應商。SOCAMM為新一代低功耗DRAM模組，有望繼高頻寬記憶體（H...

日廠追加投資Rapidus？　2奈米7月試產成決定性關鍵

以2027年量產2奈米晶片為目標的Rapidus，從公部門與日本民間廠商兩方面籌集資金。日本公部門已於5月在法律上準備好對Rapidus進一步財務支援，但民間廠商仍...

評析：靈魂拷問中國　沒EUV如何出5奈米？DUV硬闖之後？

當前中國半導體領域的突破，特別是5奈米製程上新進展，引發全球關注。尤其近期華為海思與聯想分別推出內含5奈米晶片的AI PC與平板電腦，引發熱議。

台積A14 2028年投產　張曉強：high-NA EUV不是非用不可

台積電業務開發資深副總裁張曉強最新表示，台積電即將推出的A14製程仍未看到非要用ASML高數值孔徑（high-NA）極紫外光（EUV）微影設備的理由，台積電仍...

三井化學退出三氟化氮半導體材料市場　擴大投資光罩護膜

三井化學（Mitsui Chemicals）已決定退出半導體材料三氟化氮（NF3）業務。該產品目前由公司全資子公司下關三井化學（Shimonoseki Mitsui ...

傳三星評估記憶體光罩外包　南韓光罩供應恐告急？

三星電子（Samsung Electronics）傳計劃將用於記憶體製造的光罩（photomask）外包生產。過去為防止技術外洩，光罩一直由三星自行全數生產，近期因...

ASML擬擴產荷蘭　加速EUV交貨

ASML似乎正在荷蘭加速擴張。據荷蘭媒體Tweakers.net及ED報導，ASML將在2028年前將員工遷入位於荷蘭Eindhoven附近的全新Brainp...

半導體廠投資放緩　Lasertec下修2Q展望

日本半導體光罩、空白光罩檢測設備製造商Lasertec估計，原本預計市況會從2025年4~6月開始復甦，但看來低迷的狀況可能會持續。

台積張曉強：A14製程仍不採high-NA EUV

台積電23日於加州舉辦的北美技術論壇，揭露下一代A14先進製程技術，是否會採用高數值孔徑（high-NA）極紫外光（EUV）微影技術受到矚目。

中國中科院EUV技術新突破　成功建立光源實驗平台

在全球半導體產業格局因技術封鎖與地緣競爭而日趨複雜之際，中國科研重大領域再傳捷報。近日，中國科學院上海光學精密機械研究所（簡稱上海光機所）宣布，在極紫外光（EU...

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