DIGITIMES - 議題精選：GaN劃紅線英飛凌、英諾賽科誰贏了？

功率元件供應鏈的權力重劃正在上演，近日美國ITC公布針對英飛凌控告中國氮化鎵（GaN）大廠英諾賽科侵權的「337調查」初步裁決結果，然而兩大廠均同時宣稱各自取得勝利。

2025/12/5

台積電宣布將退出第三類半導體氮化鎵（GaN）代工市場後，亦使全球功率元件供應鏈啟動一場史無前例的「非紅」大重塑，以及台美GaN代工龍頭的繼承權之爭。這場重組的初衷，是為回應地緣政治下的供應鏈安全需求

2025/12/5

在全球功率元件供應鏈中，一場由AI算力與地緣政治雙重驅動的權力重劃正在上演。儘管AI資料中心對第三類半導體氮化鎵（GaN）元件的需求迫切，但最新戰況顯示，功率IDM巨頭英飛凌（Infineon）已透過法律武器

2025/12/5

近日，美國國際貿易委員會（ITC）公布針對英飛凌控告中國氮化鎵（GaN）大廠英諾賽科侵權的「337調查」初步裁決結果。引人注目的是，兩大廠均同時發布公告，宣稱各自取得勝利。本文剖析這場由四項美國專利號US

2025/12/3

中國氮化鎵（GaN）功率半導體廠商英諾賽科（Innoscience）3日午間於港交所公告，宣布與歐系大廠英飛凌（Infineon）在美專利訴訟案中贏得勝訴。這場攻防多時的智慧產權攻防，隨著美國國際貿易委員會（ITC）的

2025/12/4

英諾賽科成立於2015年，是一家專注於第三類半導體——矽基氮化鎵（GaN, Gallium Nitride）——的中國IDM整合元件廠，其整合從晶片設計、外延片生長到製造、封裝與測試的所有元件流