Tesla功率元件大轉彎 IGBT不再絕緣？
- 黃女瑛／台北
Tesla傳有意大砍第三類半導體碳化矽（SiC）用量達75%，以有效降低成本，其替代方案可能讓傳統矽基（Si）絕緣柵雙極電晶體（IGBT）重返嗎？尤其SiC＋IGBT也被點名。
對於第三類半導體業者來說，多數認為不可能，因...
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