降低SiC缺陷密度 格棋盼跳脫尺寸競賽
- 王嘉瑜／台北
隨著電動車（EV）、高頻通訊與衛星應用的擴張，8吋SiC晶圓成為新一代功率元件的材料核心。然而，台灣本土SiC基板供應商格棋指出，「尺寸放大」本身並非技術終點，更嚴峻的挑戰在於降低晶體缺陷密度。展望全球第三類半導體供應鏈重組趨勢，格...
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