生成式AI商機香餑餑 台四大記憶體廠各拓路線分杯羹
- 韓青秀／台北
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生成式AI需求爆發，帶動高頻寬記憶體（HBM）供不應求，國際三大DRAM原廠加碼增產HBM進而擠壓DRAM產能，台廠搶進AI商機分杯羹。
台廠包括南亞科、華邦電、愛普、鈺創等布局路線各有不同，從瞄準雲端伺服器到推動邊緣AI應用落地，預計2024年醞釀進入AI戰場的練兵期，看好未來AI成長動能逐步顯現。
相較於國際三大原廠包括三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）及美光（Micron）均採用1α或1β奈米生產HBM，台系記憶體廠的製程開發技術仍落後2~3個世代。
南亞科選擇「先走得好，再跑得快，最後才是飛」，積極推進3D堆疊技術，開發高密度RDIMM產品，目標鎖定在雲端伺服器等大廠客戶。
南亞科總經理李培瑛指出，HBM目前產品溢價較高，確實記憶體廠商的營收會有貢獻，營收貢獻約達10%，但佔全球DRAM位元數僅約2%，以南亞科在全球DRAM市佔率約2%來說，現階段不見得適合南亞科投入大量資源去爭奪。
至於高密度的RDIMM產品，具有效能佳，比HBM市場規模要大5倍，估計約有10%滲透率，由於AI運算需要很多資料，但不見得所有伺服器都需要採用價格昂貴的HBM，而RDIMM目前也具有數倍的溢價優勢，因應南亞科推動自主開發與研發，透過3D IC技術及TSV堆疊技術進行搭配，較適合南亞科去練兵布局。
雖然三大廠也有供應RDIMM，但以伺服器端市況來看，RDIMM的採用比重已經達3成，是最大應用市場，南亞科預計，8Gb DDR4與16Gb DDR5產品在2024年導入生產，預期2024年底1B製程的月產能有機會推展到1.6萬~2萬片，TSV機台在2024年底導入後，高密度RDIMM將力拚2025年第3季、第4季前量產。
華邦電2024年第2季將進行20奈米製程升級，並推出4Gb DDR4新產品，華邦目前全力投入AI的客製化超高頻寬元件（CUBE）方案，將定製DRAM整合到3D封裝中，開發邊緣運算AI商機，最快在年底開始出貨，部分客戶也可能選擇採購中介層。
同時，因應AI需求及先進製程需求，華邦電正規劃下一世代DRAM製程，直接跳級朝向16奈米製程發展。
至於NOR Flash雖然沒有直接與AI運算相關，但AI伺服器對NOR flash的需求消耗也將大幅提高，例如AI繪圖卡增加，帶動終端裝置將增加40~60顆NOR Flash，搭配網管卡等周邊配備也需要採用NOR。
而邊緣AI應用如PC或手機也將需要額外NOR Flash，在整體NOR Flash產能沒有顯著增加下，很多新增的需求正持續醞釀中。
記憶體設計廠愛普近年來推動VHM 3D整合專案研發，並與力積電合作開發3D 封裝堆疊技術備受關注，產品預計最快下半年就會問世。
據傳，雙方合作開發的中介層產品，目前正進入美系IDM大廠認證階段，而VHM可望獲得歐美客戶開發新案，藉由VHM技術來提升AI晶片效能，愛普指出，2024年AI開案量持續增加，將對營運帶來正面貢獻。
鈺創則開發MemoraiLink的高效AI記憶體平台，具有同／異質整合，將AI、專精型DRAM、記憶體控制IP以及封裝技術進行整合，能確保SoC和記憶體之間的運作流暢。
鈺創將爭取中型規模客戶，透過提供完整記憶體相關方案，對方只需確認規格，將有效縮短新品上市時間，達到成本最佳化，最快從2024年下半陸續出貨。
責任編輯：陳奭璁
