GAAFET製程約9成可再利用 不影響後端布線 智慧應用 影音
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GAAFET製程約9成可再利用 不影響後端布線

  • 梁燕蕙綜合報導

無論是10年前,英特爾(Intel)率先在22奈米製程、從平面半導體架構轉向鰭式場效電晶體(FinFET);還是10年後包括三星電子(Samsung Electronics)、台積電以及英特爾將陸續在3奈米以下先進製程導入環繞式閘極場效電晶體(GAAFET)架構,...

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