英特爾董事：GAAFET、CFET設計　未來將減少先進EUV微影需求

近日英特爾（Intel）一名匿名董事在投資研究平台Tegus上表示，未來的電晶體設計，包括環繞閘極場效電晶體（GAAFET）和互補式場效電晶體（CFET），可以降低製造高階半導體時對先進微影設備的需求，反之將更依賴於微影後的製造步驟，並降低微影技術在製造...

申請專線：
+886-02-87125398。
(週一至週五工作日9:00~18:00)

會員信箱：
member@digitimes.com
(一個工作日內將回覆您的來信)

申請專線：
+886-02-87125398。
(週一至週五工作日9:00~18:00)

會員信箱：
member@digitimes.com
(一個工作日內將回覆您的來信)

議題精選－EUV量產甜蜜點何時到？