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日大學突破STT-MRAM技術侷限 創下14奈秒寫入速度

  • 謝明珊

日本東北大學成功研發出儲存密度高達128Mb的自旋轉移力矩式記憶體(STT-MRAM),寫入速度竟達14奈秒(ns),堪稱全球100Mb以上STT-MRAM之中寫入速度最快,可望應...

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