三星搶先布局3D DRAM 拚3年內量產力壓SK海力士
- 范維君／綜合報導
三星電子（Samsung Electronics）傳內部已決定，將以垂直通道電晶體（Vertical Channel Transistor；VCT）DRAM，作為核心次世代記憶體產品，計劃3年內實現量產。此舉意在比競爭對手SK海力士（S...
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