3D NAND進入200層堆疊競爭 QLC另類竄出
- 韓青秀／台北
隨著NAND Flash位元需求成長及成本追求，國際NAND Flash大廠即將進入200層以上3D NAND堆疊製程的激烈競爭，美光(Micron)、鎧俠(Kioxia)和威騰電子(WD)相繼釋出NAND技術進程規劃，市場預期，三星電子(Samsung El...
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