分析：華為申請EUV專利　透露什麼訊息？

華為申請自主EUV技術相關專利，凸顯中國欲擺脫美先進半導體製造制裁的制約。法新社

華為在2021年5月13日曾向中國國家知識產權局，申請稱為「反射鏡、光刻裝置及其控制方法」新專利，為與EUV設備有關新專利，中國國家知識產權局並於2022年11月15日公布這項專利申請。

鑑於中國正面臨美國聯邦政府傳出正在尋求結盟荷蘭，欲就ASML的EUV設備出口中國進行管制，等於是扼殺中國自主發展7奈米以下先進晶圓製程量產的唯一道路，如今華為申請自主EUV相關技術專利的消息公諸於世，是否代表中國即將能夠擺脫對ASML的EUV設備依賴？而華為也即將能夠開發出自主技術EUV設備？

從EUV設備生產的複雜度來看，或許沒有那麼容易。更何況，這項專利申請還尚未獲得批准，難以判斷華為是否已具備生產整套EUV設備的能力。

但有分析認為，華為此次申請可用於EUV半導體設備的技術專利，凸顯華為挑戰ASML EUV設備壟斷的決心。這項專利申請，相當於中國半導體技術自給化向前邁進一步，也意謂華為未來可望持續投入更多能量在研發相關半導體製造設備上。

不只華為，中國有多個研究機構都在進行與EUV設備相關研發工作。

華為為了達到EUV設備商用化里程，投入重要技術難題的克服，Techspot報導對此次華為申請的專利內容，給予肯定評價。華為開始自主正式研發EUV相關技術，反映出中國積極應對美國尋求管制EUV設備出口中國這一措施的態度。

但值得關注的是，高階EUV設備的研發、生產勢必需要長期投入，非短期可達成，且這也並非華為首次申請與EUV設備有關的技術專利。

實際上華為早在2016年就曾投入微影設備研發，並於中國國家知識產權局公布一種微影設備和微影系統的專利案。凸顯華為投入微影設備技術研發已有多年。

責任編輯：張興民