混合鍵合的最大特色是晶片對外連接金屬墊(metal pad)的尺度是「半導體製程級」的。相較於之前用於中介板的微凸塊(microbump)間距40um,混合鍵合的鍵合間距可以小達1~2um,限制尺寸的原因主要來自於對齊的精確程度,還有進一步改善的空間。