氧化鎵單晶塊材門檻高 中山大學立志3年內生產
- 郭靜蓉／高雄
半導體新興材料推陳出新，其中氧化鎵（Ga₂O₃）應用領域廣泛，國立中山大學晶體研究中心與台灣應用晶體股份有限公司及其所屬集團，簽訂「大尺寸氧化鎵晶體生長」專案合作契約書，企業將挹注新台幣5,000萬元，投入氧化鎵單晶塊材（Bulk Crystal）的研究，目標是...
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