長江存儲武漢新廠傳將投產DRAM 目標進軍HBM
- 楊智家／綜合報導
據傳長江存儲正在開發用於生產HBM晶片的矽穿孔（TSV）先進封裝技術，並計劃擴大DRAM晶片製造業務，包含用於製造AI晶片組的更先進版，據傳武漢新廠便會用來生產DRAM晶片。據路透（Reuters）報導，在美國政府2024年1...
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