長鑫看齊SK海力士MR-MUF封裝技術 擬2026年量產HBM3
- 陳玟靜／綜合報導
中國DRAM龍頭長鑫存儲計劃於2026年量產第四代高頻寬記憶體（HBM3），傳將採用MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）封裝技術。值得注意的是，MR-MUF是南韓HBM龍頭SK海力士（SK ...
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