應戰中日韓大廠 SK海力士300層NAND將導入混合鍵合 智慧應用 影音
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應戰中日韓大廠 SK海力士300層NAND將導入混合鍵合

  • 蔡云瑄綜合報導

SK海力士(SK Hynix)傳正在開發300層等級的第十代3D NAND Flash(V10),特別之處在於採用混合鍵合(Hybrid Bonding)製程,目標2027年量產。外界解讀,SK海力士此舉意在應對三星電子(Samsung Electronics...

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