先推量產、後穩良率策略奏效 三星1c DRAM傳跨越損益平衡點
- 陳玟靜／綜合報導
三星電子（Samsung Electronics）傳應用於第六代高頻寬記憶體（HBM4）的10奈米級1c DRAM，良率已改善至約60%水準，且已確保跨越損益平衡點，為支撐HBM4的量產奠定基礎。業界分析，這樣的結果證明三星在良率與速度之間選擇「速度優先」...
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