三星HBM4良率目標衝85% 得益於1c DRAM成功改善？
- 陳玟靜／綜合報導
三星電子（Samsung Electronics）據傳大幅上調2026年12層第六代高頻寬記憶體（HBM4）的良率目標，業界認為是因生產HBM4的1c DRAM良率改善工作已成功取得進展。有觀點分析，提高後的良率目標具備可實現性，將有助提升三星盈利能力。
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