長鑫存儲與三星HBM差距剩3年 良率低但技術已達HBM3
- 陳玟靜／綜合報導
日前有消息稱，長鑫存儲的第四代高頻寬記憶體（HBM3）仍停留在測試階段，原定的商用化進度恐將延後，但傳中國政府已下達「HBM總動員令」，除了以量制人也未放棄技術研發。中韓兩國之間的HBM技術差距據悉已縮短至約3年。據韓媒首爾經濟...
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