DRAM突破製程極限進入「3D」 三星、SK海力士搶先布局
- 陳玟靜／綜合報導
隨著三星電子（Samsung Electronics）與SK海力士（SK Hynix）加快投入3D DRAM開發腳步，預計最快在2025年內，就會完成將DRAM結構從水平，改為垂直的4F Square DRAM初階原型，並啟動性能驗證作業。...
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