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雙次堆疊技術有助提升3D NAND Flash良率 業者考量成本 各有不同規畫

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DIGITIMES Research觀察,3D NAND Flash隨垂直堆疊層數朝100層以上增加,不僅漸難確保堆疊層的厚度精確性和均勻性,且高深寬比蝕刻通道的製程難度亦提升,雙次堆...

內文目錄

  • 3D NAND Flash堆疊層數愈多 於沉積與通道蝕刻等製程難度愈高
  • 雙次堆疊有利於提升100層以上3D NAND Flash良率 然成本增加
  • 主要3D NAND Flash業者於雙次堆疊各有不同規畫
  • 結語

圖表目錄

  • 2013~2019年3D NAND Flash垂直堆疊技術可達最高層數變化及預測
  • 3D NAND Flash朝更多層垂直堆疊所面臨技術挑戰
  • 3D NAND Flash單次堆疊與雙次堆疊示意圖
  • 3D NAND Flash單次堆疊與雙次堆疊主要優缺點比較
  • 5 個圖表

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