記憶體原廠預告2Q「強勁漲價」　NVIDIA GTC 2026同步拉動聲勢

AI成為記憶體產業無限擴張的剛需，第2季合約價可望持續強勢攀升。符世旻攝（資料照）

AI爆發帶動記憶體緊缺遠超過傳統供需模式，儼然成為無限擴張的「需求黑洞」。

記憶體供應鏈指出，現貨價與合約價的價差，已經高達40~50%，將促使記憶體原廠持續調漲合約價的走勢，逐漸向與現貨市場的價差靠攏。

近期傳出，兩大韓廠提前預告，2026年第2季將大幅提高DRAM合約價約40%，然而供應鏈預估，依照走勢第2季漲幅恐將上看40~70%，NVIDIA GTC 2026更將推動AI記憶體動能加速攀升。

NVIDIA GTC 2026即將到來，全球AI盛會將再掀高潮，執行長黃仁勳預告，將在大會上發表「前所未見」的全新晶片架構，市場焦點鎖定傳聞中的次世代Feynman架構，依照推測將採用更新的第六代高頻寬記憶體（HBM4E）或HBM5，勢必將加速三大記憶體原廠重兵布局，HBM技術競賽日益激烈。

此外，記憶體大廠於GTC大會期間將可望一較長短，三星電子（Samsung Electronics）與SK海力士（SK Hynix）將分別分享與NVIDIA的最新合作成果：

三星預計發表介紹HBM4新品以及Rubin GPU進度，針對下一代HBM4E產品與NVIDIA平台測試進展也可能對外揭露。

至於美光（Micron）於3月18日舉行2026會計年度第2季業績發表，業界預期，美光屆時將針對HBM4來澄清市場疑慮以及技術進展。

相較於三星日前率先宣布HBM4領先量產出貨，重奪記憶體龍頭霸主的光芒，SK海力士、美光目前對2026年上半將配合客戶需求量產的說法也並未改變，包括SK海力士可望取得NVIDA HBM4的過半供應比重、美光亦強調2026年HBM產能「已全數售罄」。

隨著NVIDIA的AI架構持續迭代更新，不僅次世代HBM技術挑戰遽增，資料中心對HBM、DDR5、NAND三者的需求將是缺一不可，三大記憶體原廠的資源與擴產規劃，也將全面押注AI記憶體，整體位元需求將倍數等級增加

儘管近期市場對記憶體漲勢動能傳出雜音，但業界人士坦言，現在記憶體產業絕對是處於「賣方市場」，幾乎沒有價格談判的空間。

近來韓媒傳出，SK海力士及三星發布漲價通知，第2季漲幅強勁拉升40%，目前有部分記憶體模組廠3月接獲通知，不過依照目前現貨價與合約價的龐大價差，合約價持續看漲將是必然的走勢，甚至單季可能超過4成，有機會繼續調高至70%漲幅，此一趨勢在GTC大會過後，預期將更為明朗。

如同SK海力士日前指出，記憶體供應緊繃的程度遠超市場預期，2026年將沒有任何客戶能完全滿足需求，台系記憶體模組業者也表示，合約價的採購滿足度普遍僅約20~30%，若能拿到50%的滿足度，已經是非常好的狀況。雖然現貨市場價格漲翻天，但業界仍不得不向現貨市場採購應急。

對記憶體模組業者而言，如今面臨上游採購及下游客戶配貨均無法滿足的雙重難題，雖然消費性電子如PC、手機等應用已受不了記憶體倍數上漲的壓力，但整體記憶體需求並未轉弱。

只要是消費端客戶放棄的產能，立即被AI應用強勢吸收，可見隨時都有AI需求。但另一方面，消費性市場也將面臨更大壓力，尤其是價格敏感的應用，可能遭到淘汰。

記憶體供應鏈指出，受到產業結構性的缺貨問題，記憶體產能向AI集中在未來2年將成定局，即使目前各家記憶體大廠相繼展開建廠或擴產，但HBM持續緊缺、以及市場價格強勢的趨勢，將難以改變。

記憶體成本上漲時，若終端客戶只能以「降規」因應來壓低成本，長期勢必將影響產品競爭力與應用價值。

責任編輯：何致中