傳聯電代工2D NAND有「三大關卡」　缺人、缺技術、缺設備

傳聯電可望接獲快閃記憶體代工訂單，但業界認為，實際執行仍有多項瓶頸。李建樑攝（資料照）

國際記憶體原廠退出2D NAND快閃記憶體將成定局，受到供貨稀缺已推升低容量2D NAND價格快速飆升，近期市場傳出，聯電可能接獲SLC、MLC Flash的代工訂單，或將打破未來2D NAND寡佔供貨的局面。

不過相關業者向DIGITIMES透露，過去數個月來，確實曾與聯電討論快閃記憶體的代工機會，但人力、製程整合與開發能力以及設備等「三大關鍵因素」欠缺，成為最重要的卡關限制。

據供應鏈人士指出，NAND Flash價格從2026年以來漲勢凶猛，漲幅甚至已超過DRAM，但相比於MLC NAND或SLC NAND的供貨缺口更為龐大，導致舊製程的低容量產品價格幾乎翻漲10倍，近期下游業者傳出，MLC NAND價格於4月約調漲近3成左右。

對於近期市場傳出，有亞洲客戶向聯電提出快閃記憶體的代工訂單，外界普遍認為，目前MLC、SLC NAND價格強勢，確實相比成熟邏輯製程更有獲利空間。

但考量到機台本身的設備並不能直接使用，若要調整建置產線或新購機台，預計可能也要1~2年左右，加上目前2D NAND產能缺口龐大，對於供應鏈缺口難以達到緩解效果。

不過實際執行的瓶頸，卻比外界預估得更複雜。

相關業者私下表示，為了解決MLC及SLC NAND供應困難，內部確實曾經向聯電提議快閃記憶體的代工可行性，但無論在人才、技術或設備等多方面，均存在高難度的瓶頸。

首先，潛在IP供應商或NAND原廠並不排斥進行授權合作，但考量到必須由具有實際量產經驗的原廠提供支援，包括調派技術團隊協助來導入製程。

然而，過去負責調校2D NAND機台設備的工程人員幾乎已退休或離職，或轉向到3D NAND技術量產，而現階段NAND原廠將重心投入於3D NAND研發，以爭取AI伺服器應用的成長商機，在人力吃緊下，根本無法額外負擔2D NAND技術支援。

其次，儘管聯電曾在多年前進行記憶體相關研發，且現階段的廠房空間仍有餘裕提供代工訂單，但如今的核心技術已與記憶體領域相差甚遠，若要重新投入的資源耗費龐大，並需要一段時間來重新建立製程微調或良率調校等能力。

若只有提供產能空間而缺乏技術的情況下，無法自行協助客戶進行製程開發、串接等環節，對於聯電帶來的實質獲利，也將非常有限。

第三，設備問題也無解，由於國際原廠的老舊設備，在產線升級過程中已變賣或拆解，即使能找到舊機台，相關設備的維修零件或人力都將難以取得；先前日系大廠鎧俠（Kioxia）亦曾向DIGITIMES表達，2D NAND等舊產品停產，並非是受到AI排擠產能效應，而是考量到維持舊設備生產的成本極高，且設備老化等因素。

但假使聯電接獲快閃記憶體的代工訂單，改以購買新設備重建，其導入流程與良率將與過去模式不同，可能需要重新嘗試與研發。這意味著，投資回收將充滿不確定性，而相關IC設計業者對於晶圓廠實際製程與量產並不熟悉，雖然合作的興趣濃厚，但綜合考量下，透過技術移轉進行代工的構想，在短期內恐都缺乏可行的解決方案。

聯電發言體系對於代工快閃記憶體的市場傳言並不評論，但日前已向客戶與合作夥伴發出漲價信函，確定2026年下半調漲報價。

聯電指出，2026年上半以來，觀察到多元應用領域的需求展現出強勁韌性，包括通訊、工業、消費性電子以及AI相關領域，加上原物料、能源及物流等關鍵成本驅動因素的上升，故將於2026年下半實施晶圓價格調整。

相關供應鏈業者表示，此次聯電在8吋及12吋產品線均提出調整，依照3.5個月週期推算，4月已投片的訂單可望執行新價格，而8吋晶圓產線漲幅較高，可望達10~15%，12吋產線的80奈米、55奈米、40奈米等約有5~10%漲幅，不過仍將依照各家體量進行調整。

由於價格主要回補先前成熟製程的降價幅度，且部分IC業者已簽訂LTA長約，此次影響有限，未來將陸續轉嫁至下游客戶。

責任編輯：何致中