NAND邁入300層時代 三星、SK海力士為壓成本縮減HARC製程
- 蔡云瑄／綜合報導
隨著3D NAND Flash堆疊層數突破300層，高深寬比連接導線（High Aspect Ratio Contact；HARC）蝕刻製程的次數、成本也愈滾愈大。為解決此痛點，三星電子（Samsung Electronics）與SK海力士（SK Hynix）...
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